저항-기반 메모리 애플리케이션들을 위한 메모리 디바이스

Memory device for resistance-based memory applications

Abstract

특정 실시예에서, 액세스 트랜지스터(230)에 연결된 저항 기반 메모리 엘리먼트(228)를 포함하는 메모리 셀(226)을 포함하는 메모리 디바이스(100)가 제시된다. 액세스 트랜지스터는 동작 전압에서 메모리 셀의 동작을 인에이블하기 위해 제 1 산화물 두께를 갖는다. 메모리 다비이스는 또한 메모리 셀을 통하는 전류에 기초하여 데이터 신호를 생성하기 위해 전압 제한값 보다 더 큰 공급 전압(Vamp)에 메모리 셀을 연결하도록 구성된 제 1 증폭기(202)를 포함한다. 제 1 증폭기는 제 1 산화물 두께보다 더 큰 제 2 산화물 두께를 갖는 클램프 트랜지스터(216)를 포함한다. 클램프 트랜지스터는 메모리 셀의 동작 전압이 전압 제한값을 초과하는 것을 방지하도록 구성된다.

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Patent Citations (4)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
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